Оперативная память ddr4 напряжение питания. Что нужно знать о DDR4 ОЗУ? Результаты разгона оперативной памяти Avexir Core DDR4

Компьютерные технологии стремительно развиваются, заменяются новыми параметрами и спецификациями, но оперативная память располагает преимуществом во времени. DDR SDRAM был запущен в 2000 году и прошло три года, перед приходом в 2003 году DDR2 SDRAM. Время DDR2 продолжалось четыре года, в 2007 году её заменила DDR3 SDRAM. С тех пор она уже семь лет без изменений, но запуск DDR4 совершился.

Что нового в DDR4?

Внешне, DDR4 такой же ширины, как и DDR3, но немного выше примерно на 9 мм. Разница между DDR3 и DDR4 в том, что DDR4 использует 288 контактов по сравнению с 240 на DDR3 и ключ находится в другом месте.

Множество косметических изменений, но четыре основные улучшения DDR4 SDRAM:

Более низкое рабочее напряжение
Увеличение энергосбережения
Увеличение частоты
Уплотнение микросхем.

DDR3 работает на 1.5 В с модулями, работающих на 1,35 В. DDR4 изначально работает на 1.2 В с модулями, на 1.05 В. Кроме того, DDR4 поддерживает ряд усовершенствований энергосбережения, активируясь, когда система находится в режиме ожидания.
Пониженное рабочее напряжение позволяет DDR4 потреблять меньше энергии (и, следовательно, более низкую рабочую температуру), чем DDR3.

DDR4 имеет рабочую частоту с 2133MHz (это является пределом для DDR3), в конечном итоге частота около 3200MHz. DDR4 чипы также могут быть изготовлены в плотностях до 16 Гб (или 2 Гб) на планку, которая дважды превышает плотность DDR3. Это означает, что мы увидим железо потребительского класса ёмкостью 16 Гб, а 64 ГБ на планке для памяти серверного уровня.

Минусы DDR4

Как и большинство новых технологий, DDR4 не является совершенным. Цены будут выше на 20-50%, чем у таких же планок DDR3. По мере увеличения спроса, стоимость снизится, но сейчас DDR4 просто будет дороже.
Вторая проблема заключается в том, что несмотря на более высокие частоты DDR4, чем у DDR3, тайминг хуже.

DDR3-2133MHz планки обычно имеют CL10-CL11, текущие планки DDR4-2133Mhz будут огорчать CL15. Это не является сюрпризом, повторяется ситуация, когда была представлена DDR3, но это не значит, будто четвертое поколение, уступает предшественнику, всего лишь на первых порах.
При сравнении Core i7 5960X и 4960X, Geekbench сообщает лишь немного отличающиеся баллы с DDR4-2133MHz по сравнению с DDR3-1600MHz (5691 против 5382). Более высокие частоты будут достигнуты в ближайшем будущем, остаётся укоротить тайминг, и мы увидим мощь DDR4.

Заключение

ОЗУ является очень важным аспектом современных PC. Быстрая память, не плохо, но возможности производительности не основное преимущество DDR4 над DDR3.
DDR4 требуется совершенно иной набор микросхем и процессор в отличии от DDR3, поэтому нельзя назвать DDR4 эталоном. Более подробное сравнение DDR4 / x99 / Haswell-E -VS- DDR3 Core i7 5960X в статье

Наиболее важны две вещи: пониженное рабочее напряжение и высокая плотность памяти. С меньшим температурным режимом компоненты куда более надежнее, по отношению к своим собратьям.

Мнение автора

Если выбрать один аспект DDR4 в качестве наиболее важного, то плотность памяти является моим выбором. Это огромный плюс, что делает более желанной DDR4 в сравнении к DDR3.

Программы и типы данных становятся больше и сложнее, ОЗУ большей вместимости будет становиться все более и более значимым. Уже около 33% на базе X79, проданы Puget Systems, с января 2014 уже превышен объем памяти, который можно установить в системе с помощью 8x 8 ГБ планок или 64 ГБ оперативной памяти в сумме. Это огромная часть продаж Puget Systems, так как DDR4 имеет большой потенциал и хотелось бы увидеть её в высокопроизводительных рабочих станциях.

Модули памяти AirCool и Turbine объемом 8 и 16 ГБ из линейки DDR4 Xpower компании Silicon Power (SP) ориентированы на использование в игровых системах.
Они предлагаются в комплектах из двух штук суммарным объёмом соответственно 16 Гбайт и 32 Гбайт.

Модули работают на эффективных частотах 2666 и 3200 МГц с задержками CL16 и на эффективных частотах 3600 и 4133 МГц с задержками CL19.
Напряжение питания лежит в диапазоне 1,2-1,4 В, в зависимости от частоты и поддерживают профили Intel XMP.

Особенностью Xpower Turbine является наличие радиатора синего цвета с ребристой верхней частью и агрессивным дизайном.
Высота модулей Turbine, оснащенных радиаторами, равна 37 мм.

Модули AirCool не имеют радиаторов.
Их высота равна 31,3 мм.

Изделия выполнены с применением высококачественных чипов памяти и обеспечиваются пожизненной гарантией.

Двухканальная оперативная память 5 Series RGB стандарта DDR4 американской компании Antec доступна в наборах DDR4-2400/2666/3000 двумя планками объёмом 4 или 8 Гбайт.

Модули памяти Antec 5 Series RGB оборудуются чёрными или белыми алюминиевыми радиаторами и располагают светодиодной RGB-подсветкой, свечение которой можно синхронизировать с системой ASUS Aura Sync.

Модули работают с задержками CL16 при штатном напряжении 1,2 В или 1,35 В и поддерживают оверклокерские профили Intel XMP 2.0.
Среди прочего можно отметить пожизненную гарантию от производителя.

Комплекты памяти G.Skill Trident Z RGB DC (Double Capacity) DDR4 объёмом 64 ГБ (2x 32 ГБ) рассчитаны на работу в режиме DDR4-3000 и DDR4-3200.

Комплекты набраны двумя 32-гигабайтными модулями на базе 8-гигабитных микросхем Samsung B-die, расположенных в два ряда.

Модули оснащены алюминиевыми радиаторами, а также светодиодной RGB-подсветкой с поддержкой синхронизации через систему ASUS Aura Sync.
Все модули поддерживают профили Intel XMP 2.0 .

Модули DDR4-3200 имеют два варианта, различающихся задержками.

Эти модули увеличенной высоты, что необходимо учитывать при выборе CPU-кулера, и совместимы не со всеми системными платами.

Они будут работать с материнскими платами ASUS Z390 (ASUS ROG Z390 Maximus XI Apex, ROG Maximus XI Gene и ROG Strix Z390-I Gaming).

Galax HOF Extreme OC Lab Edition DDR4-4600 - флагманский двухканальный комплект оперативной памяти стандарта DDR4 для мощных настольных компьютеров и систем игрового класса.

Память функционирует на частоте 4600 МГц при напряжении питания 1,5 В.
Тайминги - CL 19-26-26-46.
Поддерживается технология XMP 2.0, что облегчает разгон.

Планки памяти Galax HOF Extreme OC Lab Edition DDR4-4600 выполнены на 10-слойной печатной плате и созданы на базе отборных микросхем Samsung B-die.

В набор включены два модуля ёмкостью 8 Гбайт каждый.
Таким образом, суммарный объём входящих в комплект изделий равен 16 Гбайт.

Модули снабжены эффектным радиатором золотистого цвета.
В верхней части этого охладителя красуются расположенные под углом рёбра, которые придадут системе более агрессивный вид, если компьютер выполнен в корпусе с окном или на основе шасси открытого типа.

5. HyperX Predator DDR4 и DDR4 RGB

Высокоскоростные модули и комплекты памяти линеек HyperX Predator DDR4 и Predator DDR4 RGB компании Kingston Technology выполнены на чёрном текстолите, оборудуются алюминиевыми радиаторами и функционируют в режимах вплоть до DDR4-4133 и DDR4-4000 соответственно.

Главное отличие между сериями памяти заключается в наличии светодиодной подсветки у планок Predator DDR4 RGB.

Топовый комплект HyperX Predator DDR4-4133 состоит из двух планок объёмом 8 Гбайт и рассчитан на работу с задержками CL19-23-23 при напряжении 1,35 В.

Двухканальный комплект Predator DDR4-4000 RGB так же набран 8-гигабайтными планками и работает со штатными задержками CL19-21-21 и напряжением 1,35 В.

Светодиодную подсветку можно синхронизировать с системами ASUS Aura Sync, Gigabyte RGB Fusion, MSI Mystic Light Sync и ASRock Polycom RGB.

Память HyperX Predator DDR4 и Predator DDR4 RGB наделена поддержкой оверклокерских профилей Intel XMP 2.0 и сопровождается пожизненной гарантией производителя.

Драйвер AMD Radeon Software Adrenalin Edition 19.9.2 Optional

Новая версия драйвера AMD Radeon Software Adrenalin Edition 19.9.2 Optional повышает производительность в игре «Borderlands 3» и добавляет поддержку технологии коррекции изображения Radeon Image Sharpening.

Накопительное обновление Windows 10 1903 KB4515384 (добавлено)

10 сентября 2019 г. Microsoft выпустила накопительное обновление для Windows 10 версии 1903 - KB4515384 с рядом улучшений безопасности и исправлением ошибки, которая нарушила работу Windows Search и вызвала высокую загрузку ЦП.

JEDEC Solid State Technology Association, ранее известная как Electron Devices Engineering Council (JEDEC), является независимой инженерной организацией, полупроводниковой торговли и органом по стандартизации.
На протяжении более 50 лет, JEDEC является мировым лидером в разработке открытых стандартов и публикаций для микроэлектронной промышленности.

Стандартизирующая организация JEDEC Solid State Technology Association представила официальную финальную версию спецификацию стандарта оперативной памяти Synchronous DDR4 (Double Data Rate 4).

Его введения является обеспечение нового уровня производительности оперативной памяти, её надёжности и сокращения уровня энергопотребления.

Память DDR4 включает в себя целый ряд современных достижений, которые позволят новому типу памяти получить широкое распространение в компьютерных устройствах - от бытовых приборов до серверов и еще более мощных компьютерных систем.

Уровень быстродействия на один разъём в DDR4 установлен на 1,6 миллиарда пересылок в секунду, с возможностью в будущем достичь максимального уровня 3,2 млрд/с.
Минимальная рабочая частота памяти DDR4 составляет 2133 МГц до 4266 МГц, что на 1000 МГц больше, чем у своей предшественницы (1333 МГц и 1666 МГц в стандарте прошлого поколения).

Для памяти с частотой 2133 МГц (наименьшая частота для памяти DDR4) максимальная пропускная способность составит 2133 x 8 = 17 064 МБайт/с.
Для памяти с частотой 4266 МГц (наибольшая частота, определенная в стандарте) максимальная пропускная способность составит 4266 x 8 = 34 128 МБайт/с.

Рабочее напряжение понижено: 1,1 В - 1,2 В против 1,5 В в DDR3.
Предполагаемый техпроцесс - 32 и 36 нм.

Архитектура DDR4 позволяет осуществлять предварительную выборку 8 бит данных за один такт (8n prefetch) с двумя или четырьмя выбираемыми группами блоков памяти.
Это позволяет устройствам проводить независимые друг от друга операции по активации, чтению, записи и обновлению посредством отдельных блоков памяти.

Все перечисленные возможности, а также еще целый ряд более мелких изменений и нововведений позволили существенно повысить эффективность памяти DDR4.

DDR4 модуль имеет 284 контактов, в то время как у стандартных модулей DDR3 есть только 240 контактов.
В SO-DIMM версии будут представлены 256 контактов, а DDR3 SO-DIMM имеют только 204 контакта.

В спецификациях DDR4 впервые появилось описание работы с памятью в многокристальной упаковке.
Стандартом допускается столбик (стек) из восьми кристаллов.
Причём все кристаллы «вешаются» на общие сигнальные линии.
Сделано это не потому, что так лучше (хотя это действительно упрощает действия по расширению пространства памяти), а по тем причинам, что в целом идеология работы памяти DDR4 - это соединение модулей с контроллерами по схеме «точка-точка».

Каналов будет много, а не два-четыре, поэтому каждому из них необходимо обеспечить максимально возможную производительность, не перегружая при этом механизмы обмена.
В том же ключе надо рассматривать возможность независимой одновременной работы двух или четырёх банков памяти.
Для каждой группы банков архитектурно разрешены одновременно все основные операции, такие как чтение, запись и регенерация.

По прогнозу iSuppli, к 2014 году уровень проникновения на рынок памяти DDR4 составит 12%, к 2015 - 56%.
Однако, производители могут и поторопиться с началом внедрения нового стандарта, побуждаемые желанием поднять цены на свои продукты, которые сейчас находятся на крайне низком уровне.

Micron, например, ещё в мае анонсировала разработку первого полнофункционального модуля и планы по началу их массового производства в конце нынешнего года.
Samsung уже продемонстрировал 284-контактную память PC4-17000 (2133 Мгц).
Остаётся только дождаться их поддержки от Intel и AMD.

Intel планирует начать поддержку DDR4 в начале 2014 года в высокопроизводительных 4-сокетных серверных системах на процессорах Haswell-EX, обычным же пользователям придётся, вероятно, подождать 2015 года, так как ни в 22 нм процессорах Haswell, ни в следующих за ними 14 нм Broadwell поддержка DDR4 не предусмотрена.

Стандарт DDR4 является всего лишь одним из первых шагов на пути к повсеместному внедрению памяти следующего поколения.

В числе областей применения памяти DDR4 названы серверы, ноутбуки, настольные ПК и изделия потребительской электроники.
Вначале DDR4 появится в серверных системах и уже после этого стартует массовое производство такой памяти для потребительских компьютеров.

Драйвер AMD Radeon Software Adrenalin Edition 19.9.2 Optional

Накопительное обновление Windows 10 1903 KB4515384 (добавлено)

Обзор Corsair Vengeance LPX 16GB DDR4-4600 | Введение

Компания Corsair, известная продукцией с самыми невероятными функциями, возвращается к основам, выпустив новую серию оперативной памяти Vengeance LPX. Конечно, если под "основами" подразумевать продукт, который нет смысла делать ещё быстрее. У Vengeance LPX нет RGB-подсветки или олдскульных индикаторов активности, которые и сделали Corsair популярными в среде моддеров, зато в комплект входят фирменный олдскульный вентилятор и декоративные накладки красного, голубого и серебристого цветов.

На самих модулях установлены лишь радиаторы из штампованного алюминия, без каких-либо тепловых трубок и электрических разъёмов, которые раньше использовались для мониторинга температуры и регулирования вращения вентиляторов.

Обзор Corsair Vengeance LPX 16GB DDR4-4600 | Технические характеристики

Основные технические характеристики Corsair Vengeance LPX 16GB DDR4-4600
Цена в США, $	550
Модель	CMK16GX4M2F4600C19
Ёмкость	16 Гбайт (2 х 8 Гбайт)
Скорость	DDR4-4600 (XMP)
Тайминги	19-26-26-46 (2T)
Напряжение питания	1,5 В
Гарантийный срок	Пожизненный

Ещё один из поводов употребить слово "олдскульные" применительно к этим модулям - тот факт, что только для достижения штатных показателей таймингов и скорости DDD4-4600 им требуется напряжение питания из эпохи DDR3. Если же вы считали, что 1,35 В - предел для контроллера памяти в процессорах Intel со времён Skykake, то вы в целом правы.

Заявленное предельное напряжение питания было установлено Intel для снижения уровня деградации комплектующих (например, электромиграции), которая происходит при физическом высыхании или подаче повышенного напряжения. Однако, как выяснили оверклокеры, повышение напряжения питания самого контроллера памяти позволяло вместе с тем повышать напряжение и на DIMM, не перегружая контроллер. На форумах муссировался вопрос о том, что разница между напряжением контроллера и DIMM не должна превышать 150 мВ, при этом обнаружилось, что на некоторых платах увеличение напряжения на контроллере приводит к повышению напряжения на модуле. И это лишь одна из нескольких особенностей, которые имели в виду в Corsair, рекомендуя платы для работы с DDR4 с напряжением 1,5 В.

Не считая установленного нами напряжения ядра процессора, показатели напряжения на скриншоте выше были выбраны системой автоматически для Corsair DDR4-4600 XMP с питанием 1,5 В. Среди прочих оптимизаций для тестирования столь скоростной памяти стоит упомянуть практически идеальный по характеристикам процессор, плату только с одним слотом ОЗУ на канал (для снижения уровня шумов) и с максимально коротким и хорошо оптимизированным путём от слота DIMM до процессора. Этим условиям удовлетворяет недавно протестированная нами материнская плата .

Мы перешли непосредственно от тестирования этой материнской платы к бенчмаркам Vengeance LPX DDR4-4600 при напряжении ядра 1,3 В. Подробнее о конфигурации тестовой системы можно узнать из упомянутого теста . Модули памяти для сравнения были выбраны по их специфическим характеристикам: G.Skill DDR4-3866 и Super Talent DDR4-3733 - благодаря высоким частотным показателям, Super Talent DDR4-3000 - благодаря двухранговой организации. Да, разница между одно- и двухранговыми модулями всё ещё оказывает существенное влияние на производительность.

Обзор Corsair Vengeance LPX 16GB DDR4-4600 | Продукты для сравнения

Модель	G.Skill Trident Z 16GB (2x8GB)	Super Talent Project X DDR4-3733	Super Talent Project X 16GB (2x8GB)
Цена в США, $	278	218	129
Цена в России, руб.	29100	не поставляется	не поставляется
Модель	F4-3866C18D-16GTZ	F3733UX16G	F3000UX16G
Ёмкость	16 Гбайт (2 х 8 Гбайт)	16 Гбайт (2 х 8 Гбайт)	16 Гбайт (2 х 8 Гбайт)
Скорость	DDR4-3866 (XMP)	DDR4-3733 (XMP)	DDR4-3000 (XMP)
Тайминги	18-19-19-39 (2T)	17-19-19-39 (2T)	15-16-16-35 (2T)
Напряжение питания	1,35 В	1,35 В	1,35 В
Гарантийный срок	Пожизненный	Пожизненный	Пожизненный

Модули G.Skill легко приобрести по обычной цене, но память Project X DDR4-3733 можно заказать только непосредственно у дистрибьютора Super Talent Ma Labs, для чего нужно обладать соответствующим аккаунтом. Между тем, F3000UX16G можно найти в магазинах, но только купив два отдельных модуля F3000UB8G, которые и составляют этот двухканальный комплект.

Обзор Corsair Vengeance LPX 16GB DDR4-4600 | Результаты тестирования

Наши тесты мы начали с установки минимальных стабильных таймингов для каждого набора модулей. Плата MSI Z370I Gaming Pro Carbon AC позволяет выставить более низкие значения таймингов, чем некоторые платы предыдущих поколений, но для этого нередко требуется повышение значения командного тайминга. Модули G.Skill работали либо с таймингами 15-16-16-32 при командном тайминге 1T, либо с таймингами 14-14-14-28 при 2T. При этом, по результатам наших тестов, они демонстрировали более высокую производительность при более низких таймингах, несмотря на более высокий командный тайминг.

Минимальные стабильные тайминги при максимальном напряжении 1,35 В на плате MSI Z370I Gaming Pro Carbon AC (BIOS 1.10)
	DDR4-4000	DDR4-3200	DDR4-2400
Corsair Vengeance 16GB CMK16GX4M2F4600C19	18-18-18-36 (2T)	14-14-14-28 (2T)	11-11-11-28 (1T)
G.Skill Trident Z 16GB F4-3866C18D-16GTZ	18-18-18-36 (2T)	14-14-14-28 (2T)	11-11-11-28 (1T)
Super Talent Project X 16GB F3733UX16G	19-19-19-38 (2T)	14-14-14-28 (1T)	11-12-12-28 (1T)
Super Talent Project X 16GB F3000UX16G	X	15-16-16-32 (1T)	11-12-12-28 (1T)

Мы добавили в тест значение DDR4-4000, поскольку три из четырёх участвующих в нём комплектов поддерживают это значение. Кроме того, поскольку мы намерены добиться скорости DDR-4600 в тесте на разгон, мы также выбрали "потолком" латентности CAS 23. В тестировании возможностей ручного разгона мы решили придерживаться установленного в Intel максимального значения напряжения 1,35 В.

Максимальная скорость памяти, напряжение 1,35 В, CAS 23-23-23-46, МГц (больше - лучше)

К нашему удивлению, и G.Skill DDR4-3866, и Corsair DDR4-4600 достигли одной и той же частоты DDR4-4267 при напряжении, ограниченном 1,35 В. Повышенные тайминги позволяют модулям G.Skill преодолеть скорость, продемонстрированную ранее при тестировании материнской платы, но мы также не обнаружили никаких преимуществ от разгона при установке значений CAS выше 21 цикла.

Sandra, тест на пропускную способность память, Гбайт/c (больше - лучше)

Модули Vengeance LPX DDR4-4600 показали более высокую пропускную способность на DDR4-4000 C18, чем при работе с их XMP-рейтингом, но это может быть отчасти связано с размерами файлов, используемыми в Sandra в этом тесте. На пропускную способность памяти в Sanra влияет латентность, так что давайте посмотрим, что у нас творится с задержками.

Sandra, задержки памяти, наносекунды (меньше - лучше)

Латентность CAS изменяется в циклах, а длительность цикла короче при более высоких частотах, однако DDR4-4600 могла использовать намного меньше циклов при пониженной пропускной способности. Все три набора сверхбыстрой памяти достигли наилучшего сочетание времени циклов и латентности при DDR4-4000.

Игра F1 2015, кадры в секунду (больше - лучше)

Приготовьтесь к большому сюрпризу! Наш анализ двухранговых модулей DIMM (англ.) показал, что массовые платформы Intel лучше всего работают с четырёхранговой памятью, для чего требуются либо четыре одноранговых, либо два двухранговых модуля. Игра F1 2015 известна зависимостью от производительности процессора и памяти, так что повышение частоты ЦП до 4,80 ГГц в нашем сегодняшнем тесте продемонстрировало совершенно безусловное преимущество четырёхранговой организации памяти двумя двухранговыми модулями. При переходе на одноранговые комплекты показатели ухудшаются. В частности, на скорости DDR4-3200 минимальными результатами для четырёх наших конкурсантов были 71,4, 77,5, 86,6 и 113,0 кадров в секунду.

Игра Metro Last Light Redux, кадры в секунду (больше - лучше)

В предыдущем обзоре мы заметили, что экстремально плохие тайминги могут привести к заметным отличиям в производительности в игре Metro Last Light Redux, но при оптимальных настройках все четыре набора не используют такие тайминги.

Движок рендеринга Blender, время рендеринга, минуты:: секунды (меньше - лучше)

Всё, что мы говорили про Metro, применимо и к Blender. Оба приложения незаменимы при тестировании памяти, подтверждая, что множество самых разных реальных приложений реагируют лишь на радикальные изменения в производительности ОЗУ. Проще говоря, они позволяют составить представление об поведении той или иной памяти в реальном мире.

Сжатие файлов в 7-Zip, время сжатия в.7z набора разных файлов объёмом 7,6 Гбайта, сжатие ультра, время сжатия, минуты:: секунды (меньше - лучше)

Напомним, что в тесте на время исполнения задач, чем меньше полученный результат, тем он лучше. Как видим, два двухранговых модуля DDR4-3000 полностью обходят одноранговые планки на большинстве частот. Впрочем, пропускная способность также имеет значение, что видно по разнице между производительностью DDR4-3000 по умолчанию и скоростью на DDR4-3200 после разгона.

Обзор Corsair Vengeance LPX 16GB DDR4-4600 | Выводы

Отношение частоты к цене и производительности к цене. Красные полосы: ценность с учётом разгона. Чёрные полосы: отношение производительности к цене с настройками XMP. Голубые полосы: отношение производительности к цене с оптимизированными таймингами. Зелёные полосы: максимальная скорость при разгоне.

Похоже, что главная причина, по которой люди платят большие деньги за DDR4 с рейтингом выше 4000 МГц, это выпендрёж. Так что показатели реальной ценности по соотношению цены и производительности здесь не играют никакой роли. С другой стороны, те, кто ищет наилучшего соотношения стоимости и скорости, могут использовать эту диаграмму в качестве аргумента против любителей покрасоваться.

CORSAIR VENGEANCE LPX 16GB (2X8GB)

ДОСТОИНСТВА

Превосходный рейтинг DDR4-4600
Охлаждающий вентилятор в комплекте
Пожизненная гарантия несмотря на повышенное напряжение питания

НЕДОСТАТКИ

Повышенное напряжение питания
Требуются исключительно стабильные материнская плата и процессор
Высокая цена

ВЕРДИКТ

Те, кто не желает, чтобы их обошли в битве за максимальную частоту оперативной памяти, воспользуются первой же возможностью приобрести этот комплект. Все остальные, возможно, предпочтут другие варианты оптимизации.

Различия между поколениями оперативной памяти всегда достаточно существенны. Прошлогодний выход в люди стандарта DDR4 сделал серверный сегмент и high-performance desktop несколько выходящими из общего ряда. Недавний анонс серверным процессоров Intel Atom потянул за собой SO-DIMM DDR4. Все готово для массовой атаки на рынок, а не просто дебюта. Поизучаем немного теории, освежим знания? Под катом ключевые различия между DDR3 и DDR4.

Физические различия.

Разумеется, физически планки памяти DDR3 и DDR4 несовместимы. Вместо 240 пин у “третьего” - “четвертый” обладает 288 контактами. Увеличение числа контактов сделано ради возможности адресации как можно большего количества памяти. В самом максимальном варианте модуль памяти стандарта DDR4 может иметь объём 512 гигабайт. Минимальный объем модуля - 2 гигабайта.

Ключ разъема смещен ближе к центру. Защита от невнимательных пользователей работает, защита от невнимательных, но очень сильных пользователей - не существует.

Высота референсной планки - 31,25 мм - это чуть выше чем у предшественника (30 мм). Длина планки прежняя - 133,35 мм (напомните мне, сколько это в дюймах?), этот параметр не изменялся с момента появления первого поколения оперативной памяти DDR.

Электрические различия.

Вместо штатного напряжения питания 1,5В (1,35В для Haswell) предлагается стандартное напряжение 1,2В (1,05В для энергоэффективных систем). Преимущества очевидны: меньше нагрев, меньше энергопотребление, в дальнейшем: больше время автономной работы.

Частотные различия.

Если стандарты DDR3 начинаются с частоты 1066 МГц, то DDR4 стартует с отметки в 2133 МГц. Формально - увеличение частоты в два раза, а вот реально производительность не растет в два раза. Уже официально выпущены модули DDR4 с частотой 3000 МГц и есть даже более высокие показатели, но все они ориентированы на энтузиастов и оверклокеров.

Архитектурные различия.

Самое важное, что произошло при переходе - изменение архитектуры доступа к модулям. Раньше шина Multi-Drop имела всего два канала и даже при организации работы с четырьмя модулями памяти, они висели попарно на одном канале, что не всегда положительно сказывалось на производительности.

Новая шина с оригинальным название Point-to-Point будет связывать каждый канал с одним модулем памяти. То есть при наличии в процессоре двухканального контроллера памяти - будут доступны два слота, а при наличии четырехканального - четыре. Вы скажете мне, а как же платы с 8 слотами под память? Для них применяются цифровые коммутаторы - аналогичные по смыслу, тем, что разветвляют линии PCI Express. Таким образом, оперативная память переходит на использование параллельного доступа.

Еще один важный момент - изменение в организации чипов памяти. При равном объеме чип DDR4 будет иметь в два раза больше банков памяти и строки памяти в четыре раза короче. Это говорит о том, что новый стандарт будет переключаться между банками намного быстрее, чем DDR3.

Вкратце, это все ключевые различия между двумя поколениями оперативной памяти DDR3 и DDR4, как это отражается на практике? Есть ли ощутимые различия в производительности - будем выяснять в следующих постах. Оставайтесь с нами.